casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71016S20YG
Número da peça de fabricante | 71016S20YG |
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Número da peça futura | FT-71016S20YG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71016S20YG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 1Mb (64K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 20ns |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S20YG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71016S20YG-FT |
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel