casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71016S12YG8
Número da peça de fabricante | 71016S12YG8 |
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Número da peça futura | FT-71016S12YG8 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71016S12YG8 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 1Mb (64K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 12ns |
Tempo de acesso | 12ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S12YG8 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71016S12YG8-FT |
70V26L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation