casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 70V657S10DR
Número da peça de fabricante | 70V657S10DR |
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Número da peça futura | FT-70V657S10DR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
70V657S10DR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamanho da memória | 1.125Mb (32K x 36) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 208-BFQFP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S10DR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 70V657S10DR-FT |
70V657S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc