casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 70V3579S4DR
Número da peça de fabricante | 70V3579S4DR |
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Número da peça futura | FT-70V3579S4DR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
70V3579S4DR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamanho da memória | 1.125Mb (32K x 36) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 4.2ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 208-BFQFP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 208-PQFP (28x28) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3579S4DR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 70V3579S4DR-FT |
70V639S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel