casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 70T633S10BCI
Número da peça de fabricante | 70T633S10BCI |
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Número da peça futura | FT-70T633S10BCI |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
70T633S10BCI Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamanho da memória | 9Mb (512K x 18) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 256-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BCI Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 70T633S10BCI-FT |
7164S25YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164S25YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc