casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 70125S55J
Número da peça de fabricante | 70125S55J |
---|---|
Número da peça futura | FT-70125S55J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
70125S55J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamanho da memória | 18Kb (2K x 9) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 52-PLCC (19.13x19.13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70125S55J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 70125S55J-FT |
M58LW032D90ZA6
STMicroelectronics
M58LW064D110ZA6
STMicroelectronics
MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.