Número da peça de fabricante | 6A10-G |
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Número da peça futura | FT-6A10-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
6A10-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | R6, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | R-6 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A10-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 6A10-G-FT |
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
PR1004GL-T
Diodes Incorporated
PR1004L-T
Diodes Incorporated
PR1005GL-T
Diodes Incorporated
PR1005L-T
Diodes Incorporated
PR1006GL-T
Diodes Incorporated
PR1007G-T
Diodes Incorporated
PR1007GL-T
Diodes Incorporated
PR1501S-T
Diodes Incorporated
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel