casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 6116LA35TDB
Número da peça de fabricante | 6116LA35TDB |
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Número da peça futura | FT-6116LA35TDB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
6116LA35TDB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA35TDB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 6116LA35TDB-FT |
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
MX29F040CTC-90G
Macronix
MX29F200CBMC-70G
Macronix