casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 6116LA25TDB
Número da peça de fabricante | 6116LA25TDB |
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Número da peça futura | FT-6116LA25TDB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
6116LA25TDB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA25TDB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 6116LA25TDB-FT |
70T3339S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
MX29F040CTC-90G
Macronix
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel