casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 55GN01CA-TB-E
Número da peça de fabricante | 55GN01CA-TB-E |
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Número da peça futura | FT-55GN01CA-TB-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
55GN01CA-TB-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 10V |
Freqüência - Transição | 4.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Ganho | 9.5dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-CP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01CA-TB-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 55GN01CA-TB-E-FT |
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
XC2V80-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6002-4AI
Microchip Technology
10M50DAF484I7G
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.