casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / 53JR50E
Número da peça de fabricante | 53JR50E |
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Número da peça futura | FT-53JR50E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 50 |
53JR50E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 500 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | - |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR50E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 53JR50E-FT |
WHBR75FET
Ohmite
WNBR75FET
Ohmite
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7N
Intel
5SGXEA3K2F35I2N
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel