casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / 53JR10E
Número da peça de fabricante | 53JR10E |
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Número da peça futura | FT-53JR10E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 50 |
53JR10E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | - |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR10E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 53JR10E-FT |
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel