casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / 53JR10E
Número da peça de fabricante | 53JR10E |
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Número da peça futura | FT-53JR10E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | 50 |
53JR10E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | - |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR10E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 53JR10E-FT |
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel