casa / produtos / Isoladores / Optoisoladores - transistor, saída fotovoltaica / 4N35M-V
Número da peça de fabricante | 4N35M-V |
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Número da peça futura | FT-4N35M-V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
4N35M-V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Número de canais | 1 |
Tensão - Isolamento | 5000Vrms |
Taxa de Transferência Atual (Min) | 100% @ 10mA |
Taxa de Transferência Atual (Max) | - |
Ligar / desligar o tempo (Typ) | 10µs, 9µs |
Tempo de subida / queda (Typ) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de saída | Transistor with Base |
Tensão - Saída (máx.) | 80V |
Corrente - Saída / Canal | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturação Vce (Max) | 300mV |
Temperatura de operação | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35M-V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 4N35M-V-FT |
CNY17F2SVM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2M
ON Semiconductor
4N27SM
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CNY17F2SR2VM
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H11AA1SR2VM
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H11AA1SVM
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MOC8106SR2VM
ON Semiconductor
CNY171SM
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4N29SM
ON Semiconductor
CNY17F1SR2VM
ON Semiconductor
AGLN020V5-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF6016TC144-3N
Intel
A3P600L-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C3N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EPF10K40RC240-4
Intel