casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / 40JR10E
Número da peça de fabricante | 40JR10E |
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Número da peça futura | FT-40JR10E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Ohmicone® 40 |
40JR10E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 10W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | - |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.406" Dia x 1.902" L (10.30mm x 48.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
40JR10E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 40JR10E-FT |
41F25RE
Ohmite
41F27RE
Ohmite
41F2K0E
Ohmite
41F2K2E
Ohmite
41F2K5
Ohmite
41F2K5E
Ohmite
41F2K7
Ohmite
41F2K7E
Ohmite
41F2R0
Ohmite
41F2R0E
Ohmite
EP3SL340H1152C2N
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFXP2-40E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP20K400BC652-1XV
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel
EPF6016QC240-2N
Intel
EP4SGX530HH35I4N
Intel