casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / 3N259-E4/51
Número da peça de fabricante | 3N259-E4/51 |
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Número da peça futura | FT-3N259-E4/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
3N259-E4/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3.14A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | KBPM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N259-E4/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 3N259-E4/51-FT |
2KBP08M-23E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08ML-24E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08ML-6581E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP08ML-7001E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
2KBP10M-28E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel