casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 3N163-2
Número da peça de fabricante | 3N163-2 |
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Número da peça futura | FT-3N163-2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
3N163-2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-72 |
Pacote / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N163-2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 3N163-2-FT |
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