casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 30BQ100
Número da peça de fabricante | 30BQ100 |
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Número da peça futura | FT-30BQ100 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
30BQ100 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
30BQ100 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 30BQ100-FT |
S3JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel