casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SK4124-1E
Número da peça de fabricante | 2SK4124-1E |
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Número da peça futura | FT-2SK4124-1E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SK4124-1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 46.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 170W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3P-3L |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK4124-1E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SK4124-1E-FT |
ECH8420-TL-H
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ECH8320-TL-H
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EMH1405-TL-H
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EMH2801-TL-H
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XC3S5000-4FGG676I
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