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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906(Q)

Name: 2SK3906(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK3906(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (796 reviews)

Número da peça MFG: 2SK3906(Q)

Quantidade disponível: 84800 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: 2SK3906(Q).pdf

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2SK3906(Q) Especificações

Número da peça de fabricante	2SK3906(Q)
Número da peça futura	FT-2SK3906(Q)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
2SK3906(Q) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4250pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3P(N)
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3906(Q) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	2SK3906(Q)-FT

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