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ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E
- Número da peça MFG
- 2SK3666-3-TB-E
- Quantidade disponível
- 80860 Peças
- Preço de referência
- USD 0.076912
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - JFETs
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
2SK3666-3-TB-E Especificações
| Número da peça de fabricante | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-2SK3666-3-TB-E |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| 2SK3666-3-TB-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | - |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Dreno atual (Id) - Max | 10mA |
| Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistência - RDS (On) | 200 Ohms |
| Potência - Max | 200mW |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-CP |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SK3666-3-TB-E Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | 2SK3666-3-TB-E-FT |
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