casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / 2SK3666-2-TB-E
Número da peça de fabricante | 2SK3666-2-TB-E |
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Número da peça futura | FT-2SK3666-2-TB-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SK3666-2-TB-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | - |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 600µA @ 10V |
Dreno atual (Id) - Max | 10mA |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 180mV @ 1µA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
Resistência - RDS (On) | 200 Ohms |
Potência - Max | 200mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-CP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3666-2-TB-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SK3666-2-TB-E-FT |
2SK275100L
Panasonic Electronic Components
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