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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3565(Q,M)

Número da peça MFG
2SK3565(Q,M)
Quantidade disponível
51140 Peças
Preço de referência
USD 0
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
π-MOSIV MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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2SK3565(Q,M) Especificações

Número da peça de fabricante 2SK3565(Q,M)
Número da peça futura FT-2SK3565(Q,M)
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series π-MOSIV
2SK3565(Q,M) Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 45W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220SIS
Pacote / caso TO-220-3 Full Pack
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3565(Q,M) Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição 2SK3565(Q,M)-FT

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