casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD2096T114E
Número da peça de fabricante | 2SD2096T114E |
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Número da peça futura | FT-2SD2096T114E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD2096T114E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Potência - Max | 1.8W |
Freqüência - Transição | 8MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | HRT |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | HRT |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2096T114E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD2096T114E-FT |
2SD2150T100R
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2SD2150T100S
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
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EP4SGX180FF35C2X
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