casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD2017
Número da peça de fabricante | 2SD2017 |
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Número da peça futura | FT-2SD2017 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD2017 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 250V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 2mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Potência - Max | 35W |
Freqüência - Transição | 20MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2017 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD2017-FT |
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Microsemi Corporation
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5SGXMA7H2F35C3
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EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel