casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD20000P
Número da peça de fabricante | 2SD20000P |
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Número da peça futura | FT-2SD20000P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD20000P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 4A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 400mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 4V |
Potência - Max | 2W |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-A1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD20000P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD20000P-FT |
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NETQ(J
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2SA1931,Q(J
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2SA1931,SINFQ(J
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2SA20570P
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2SA2099
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2SA21400P
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EP3SE260H780C3N
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5SGXEA4H1F35I2N
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XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
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LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation