casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD12750P
Número da peça de fabricante | 2SD12750P |
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Número da peça futura | FT-2SD12750P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD12750P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 2A, 4V |
Potência - Max | 2W |
Freqüência - Transição | 20MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-A1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12750P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD12750P-FT |
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel