casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD12670P
Número da peça de fabricante | 2SD12670P |
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Número da peça futura | FT-2SD12670P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD12670P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 4A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 400mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 700µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 4V |
Potência - Max | 2W |
Freqüência - Transição | 20MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-A1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12670P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD12670P-FT |
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,TOA1F(J
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2SA1837,WNLF(J
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2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1837,YHF(M
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2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y(Q,M)
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2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1869-Y,Q(J
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LCMXO2-256ZE-1TG100C
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XC3S1000L-4FGG320C
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M7A3P1000-PQG208
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A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel