casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SC5876T106R
Número da peça de fabricante | 2SC5876T106R |
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Número da peça futura | FT-2SC5876T106R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC5876T106R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 300MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5876T106R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC5876T106R-FT |
2SC4617EBTLP
Rohm Semiconductor
2SC4617EBTLS
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2SCR522EBTL
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2SA1776TV2P
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2SB1236TV2Q
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2SB1236TV2R
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LFXP3E-3T144C
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XA6SLX25-3FGG484I
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LCMXO2280C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27I7
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5SGXMABK3H40C4N
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XC7A15T-2CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE55F29C8
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