casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SC3649T-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC3649T-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC3649T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC3649T-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 160V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 120MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3649T-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC3649T-TD-E-FT |
2SC5707-E
ON Semiconductor
2SC4027T-E
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2SD1816S-H
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2SD1815S-E
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2SC6017-E
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2SC4027S-E
ON Semiconductor
2SB1204S-E
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2SA1593S-E
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel