casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SC3646T-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC3646T-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC3646T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC3646T-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 120MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3646T-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC3646T-TD-E-FT |
2SB1215T-H
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2SC5707-E
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2SC4027T-E
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2SD1815S-E
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5SGXEA9N3F45C2N
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel