casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SC3646S-P-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SC3646S-P-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SC3646S-P-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SC3646S-P-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 120MHz |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3646S-P-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SC3646S-P-TD-E-FT |
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A54SX08A-1PQG208
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10M50DCF484I6G
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5CEFA7M15C8N
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XC6VLX240T-2FF1759I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5QN208C
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LFE2M20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
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Lattice Semiconductor Corporation