casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SB815-7-TB-E
Número da peça de fabricante | 2SB815-7-TB-E |
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Número da peça futura | FT-2SB815-7-TB-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SB815-7-TB-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 700mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 50mA, 2V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-CP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB815-7-TB-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SB815-7-TB-E-FT |
MMBT589LT1G
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Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
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10M08SCU169C8G
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XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
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