casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SA2016-TD-E
Número da peça de fabricante | 2SA2016-TD-E |
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Número da peça futura | FT-2SA2016-TD-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SA2016-TD-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 7A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 3.5W |
Freqüência - Transição | 330MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PCP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2016-TD-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SA2016-TD-E-FT |
BC859BLT1
ON Semiconductor
BC859BLT1G
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BC859BLT3G
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BC859CLT1
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XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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