casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SA1955FVBTPL3Z
Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z
- Número da peça MFG
- 2SA1955FVBTPL3Z
- Quantidade disponível
- 58860 Peças
- Preço de referência
- USD 0.058968
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- - TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- 2SA1955FVBTPL3Z.pdf
2SA1955FVBTPL3Z Especificações
| Número da peça de fabricante | 2SA1955FVBTPL3Z |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-2SA1955FVBTPL3Z |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| 2SA1955FVBTPL3Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de transistor | PNP |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 400mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Potência - Max | 100mW |
| Freqüência - Transição | 130MHz |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-723 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VESM |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SA1955FVBTPL3Z Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | 2SA1955FVBTPL3Z-FT |
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