casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SA1162S-GR,LF(D
Número da peça de fabricante | 2SA1162S-GR,LF(D |
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Número da peça futura | FT-2SA1162S-GR,LF(D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SA1162S-GR,LF(D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | S-Mini |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162S-GR,LF(D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SA1162S-GR,LF(D-FT |
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6MITIFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-Y(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C8
Intel
XC4VLX160-11FFG1148I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3LG
Intel