casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002-G
Número da peça de fabricante | 2N7002-G |
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Número da peça futura | FT-2N7002-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N7002-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 115mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 (TO-236AB) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N7002-G-FT |
PH955L,115
Nexperia USA Inc.
PH9930L,115
NXP USA Inc.
PSMN010-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN010-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN011-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN013-100YSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN014-80YLX
Nexperia USA Inc.
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel