casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N6788
Número da peça de fabricante | 2N6788 |
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Número da peça futura | FT-2N6788 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N6788 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 800mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 |
Pacote / caso | TO-205AF Metal Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6788 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N6788-FT |
PH4530L,115
NXP USA Inc.
PH4830L,115
NXP USA Inc.
PH4840S,115
Nexperia USA Inc.
PH5030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH5330E,115
NXP USA Inc.
PH5525L,115
NXP USA Inc.
PH6030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH6030L,115
NXP USA Inc.
PH6325L,115
Nexperia USA Inc.
PH6530AL,115
NXP USA Inc.
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel