casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N6667G
ON Semiconductor 2N6667G
- Número da peça MFG
- 2N6667G
- Quantidade disponível
- 17930 Peças
- Preço de referência
- USD 0.712
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- - TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- 2N6667G.pdf
2N6667G Especificações
| Número da peça de fabricante | 2N6667G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-2N6667G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| 2N6667G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | PNP - Darlington |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10A |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Potência - Max | 2W |
| Freqüência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-220-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N6667G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | 2N6667G-FT |
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