casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N6661JTX02
Número da peça de fabricante | 2N6661JTX02 |
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Número da peça futura | FT-2N6661JTX02 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N6661JTX02 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 90V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 860mA (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6661JTX02 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N6661JTX02-FT |
SQM50P03-07_GE3
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