casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N6111G
Número da peça de fabricante | 2N6111G |
---|---|
Número da peça futura | FT-2N6111G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N6111G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 7A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 3A, 7A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3A, 4V |
Potência - Max | 40W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6111G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N6111G-FT |
MJW1302A
ON Semiconductor
MJW21191
ON Semiconductor
MJW21191G
ON Semiconductor
MJW21192
ON Semiconductor
MJW21192G
ON Semiconductor
MJW21193
ON Semiconductor
MJW21194
ON Semiconductor
MJW21195
ON Semiconductor
MJW21196
ON Semiconductor
MJW3281A
ON Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation