casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N5551_J18Z

| Número da peça de fabricante | 2N5551_J18Z |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-2N5551_J18Z |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| 2N5551_J18Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de transistor | NPN |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 160V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Potência - Max | 625mW |
| Freqüência - Transição | 100MHz |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N5551_J18Z Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | 2N5551_J18Z-FT |

ZTX753STZ
Diodes Incorporated

ZTX757STZ
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Xilinx Inc.

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Microsemi Corporation

EP2S90F1020I4
Intel