casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N5551,116
Número da peça de fabricante | 2N5551,116 |
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Número da peça futura | FT-2N5551,116 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5551,116 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 160V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potência - Max | 630mW |
Freqüência - Transição | 300MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5551,116 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5551,116-FT |
ZTX690BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX692BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX718STZ
Diodes Incorporated
ZTX751STZ
Diodes Incorporated
ZTX753STZ
Diodes Incorporated
ZTX757STZ
Diodes Incorporated
ZTX758
Diodes Incorporated
ZTX788A
Diodes Incorporated
ZTX790ASTZ
Diodes Incorporated
ZTX795A
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel