casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N5401_D10Z
Número da peça de fabricante | 2N5401_D10Z |
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Número da peça futura | FT-2N5401_D10Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5401_D10Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 150V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | 400MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5401_D10Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5401_D10Z-FT |
2N4126TF
ON Semiconductor
2N4126TFR
ON Semiconductor
2N4400TA
ON Semiconductor
2N4400TAR
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2N4400TF
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2N4400TFR
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2N4400_D81Z
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2N4401RLRAG
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2N4401RLRMG
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M2GL050T-FCSG325
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A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
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10AX022E4F29I3LG
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XA7A35T-1CPG236Q
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
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EP3SE110F780C2N
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EP3SL110F780I4L
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