casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N5210
Número da peça de fabricante | 2N5210 |
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Número da peça futura | FT-2N5210 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N5210 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | 30MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5210 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N5210-FT |
ZUMT617TA
Diodes Incorporated
ZUMT617TC
Diodes Incorporated
ZUMT618TC
Diodes Incorporated
ZUMT717TC
Diodes Incorporated
ZUMT718TC
Diodes Incorporated
ZUMT720TC
Diodes Incorporated
ZXT14P12DXTA
Diodes Incorporated
ZXT14P40DXTA
Diodes Incorporated
APT13005SI-G1
Diodes Incorporated
APT13003DI-G1
Diodes Incorporated
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel