casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2N4957UB
Número da peça de fabricante | 2N4957UB |
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Número da peça futura | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N4957UB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Freqüência - Transição | - |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Ganho | 25dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel