casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / 2N4393-E3
Número da peça de fabricante | 2N4393-E3 |
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Número da peça futura | FT-2N4393-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N4393-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 40V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 20V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 500mV @ 1nA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
Resistência - RDS (On) | 100 Ohms |
Potência - Max | 1.8W |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-206AA (TO-18) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4393-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N4393-E3-FT |
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
PMBFJ113,215
NXP USA Inc.
PMBFJ174,215
NXP USA Inc.
PMBFJ175,215
NXP USA Inc.
PMBFJ176,215
NXP USA Inc.
PMBFJ310,215
NXP USA Inc.
2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3320-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
AGLN250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6
Intel
EP3CLS70F484I7N
Intel
EP4CE6F17C8LN
Intel
EP4SGX360FH29C3
Intel
M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
10AX027E2F29E1SG
Intel