casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / 2N4339-2
Número da peça de fabricante | 2N4339-2 |
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Número da peça futura | FT-2N4339-2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N4339-2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 50V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 500µA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 600mV @ 100nA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Resistência - RDS (On) | - |
Potência - Max | 300mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-206AA (TO-18) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4339-2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N4339-2-FT |
BFR31,235
NXP USA Inc.
BFR30,215
NXP USA Inc.
BFR30,235
NXP USA Inc.
BFT46,215
NXP USA Inc.
BSR56,215
NXP USA Inc.
BSR57,215
NXP USA Inc.
BSR58,215
NXP USA Inc.
PMBF4392,215
NXP USA Inc.
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP4CE30F23I8L
Intel
A54SX08A-TQ100I
Microsemi Corporation
A3P125-FGG144I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C6
Intel
EPF10K100EBC356-3
Intel
EPF10K130EQC240-1N
Intel