casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N4261UB
Número da peça de fabricante | 2N4261UB |
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Número da peça futura | FT-2N4261UB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N4261UB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4261UB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N4261UB-FT |
2N1724A
Microsemi Corporation
2N1893S
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
2N2432
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
2N2432UB
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
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5SGXEA9N3F45C2N
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XC7VX485T-3FFG1157E
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
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EP1C4F400I7N
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