casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N3999
Número da peça de fabricante | 2N3999 |
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Número da peça futura | FT-2N3999 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
2N3999 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3999 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3999-FT |
2N1482
Microsemi Corporation
2N1483
Microsemi Corporation
2N1484
Microsemi Corporation
2N1485
Microsemi Corporation
2N1486
Microsemi Corporation
2N1613L
Microsemi Corporation
2N1701
Microsemi Corporation
2N1711S
Microsemi Corporation
2N1717
Microsemi Corporation
2N1717S
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel