casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2N3960
Número da peça de fabricante | 2N3960 |
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Número da peça futura | FT-2N3960 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2N3960 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
Potência - Max | 400mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-18 (TO-206AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3960 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2N3960-FT |
2N696
Microsemi Corporation
2N696S
Microsemi Corporation
2N697
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2N697S
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2N918UB
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2N930
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BC847BFAQ-7B
Diodes Incorporated
TIP29A SL
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TIP31C SL
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XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
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EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
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LFE2-50E-5F672I
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LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
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EP4CE30F29I7N
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